一、重结晶碳化硅粉体（原料粉）压实 / 振实密度 Tap Density
工业制 RSiC 窑具用 SiC 粗细混合级配粉料：
- 常规粗细复配粉料（0–3mm+325 目搭配，干压成型匣钵）
振实压实密度：1.95～2.10 g/cm³
- 细粉单一 325/800 目纯 SiC 微粉
压实密度：1.65～1.80 g/cm³
- 粗颗粒段砂 1–3mm 单一骨料
压实密度：2.10～2.25 g/cm³
级配越合理、颗粒球形度越高，压实密度越高，烧成后 RSiC 成品体积密度越高、热扩散 TPD 越好。
二、重结晶碳化硅烧结成品（匣钵 / 棚板）体积密度 & 对应热扩散 TPD（Thermal Diffusivity）
RSiC 是多孔气相烧结制品，成品体积密度直接决定 TPD 热扩散（室温 25℃，激光闪光法 ASTM E1461）：
| 成品等级 | 体积密度 (g/cm³) | 显气孔率 | 室温 TPD 热扩散 (mm²/s) | 适用场景 |
|---|---|---|---|---|
| 锂电高端优等 RSiC | 2.68～2.75 | 12%～16% | 32～40 | 三元 / 磷酸铁锂烧结匣钵 |
| 通用工业窑具 RSiC | 2.60～2.67 | 16%～20% | 24～32 | 普通陶瓷棚板、辊棒 |
| 轻量化多孔 RSiC 薄板 | 2.50～2.59 | 20%～24% | 18～24 | 节能薄型垫板 |
对应换算逻辑
压实密度更高的成型生坯 → 烧成后成品体积密度更高、气孔更少 → 导热通路连续，TPD 热扩散数值同步提升。
例：粉体压实 2.05 g/cm³ 级配粉料烧成后成品密度 2.70 g/cm³，TPD 可达 34–38 mm²/s；
若粉体压实仅 1.7 g/cm³ 细粉单一成型，成品密度 2.58 g/cm³，TPD 仅 22–26 mm²/s。
